Справочник MOSFET. MTP3J15N3

 

MTP3J15N3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP3J15N3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.6 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для MTP3J15N3

 

 

MTP3J15N3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  cystek
 mtp3j15n3.pdf

MTP3J15N3 MTP3J15N3

Spec. No. : C465N3 Issued Date : 2009.03.03 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.18 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15N3 ID -130mARDSON@VGS=-10V, ID=-100mA 4.5(typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-100mA 6(typ) Features Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free package Equivalent Circuit

 7.1. Size:335K  cystek
 mtp3j15y3.pdf

MTP3J15N3 MTP3J15N3

Spec. No. : C465Y3 Issued Date : 2012.04.13 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.05.19 Page No. : 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50VMTP3J15Y3 ID -130mA 8 (MAX) RDSON@-10V 10 (MAX) RDSON@-5V 12 (MAX) RDSON@-4V Features 32 (MAX) RDSON@-2.5V Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top