MTP3J15N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP3J15N3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для MTP3J15N3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP3J15N3 даташит

 ..1. Size:302K  cystek
 mtp3j15n3.pdf pdf_icon

MTP3J15N3

Spec. No. C465N3 Issued Date 2009.03.03 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.05.18 Page No. 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50V MTP3J15N3 ID -130mA RDSON@VGS=-10V, ID=-100mA 4.5 (typ) RDSON@VGS=-5V, ID=-100mA 6 (typ) Features Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb-free package Equivalent Circuit

 7.1. Size:335K  cystek
 mtp3j15y3.pdf pdf_icon

MTP3J15N3

Spec. No. C465Y3 Issued Date 2012.04.13 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.05.19 Page No. 1/ 8 50V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET BVDSS -50V MTP3J15Y3 ID -130mA 8 (MAX) RDSON@-10V 10 (MAX) RDSON@-5V 12 (MAX) RDSON@-4V Features 32 (MAX) RDSON@-2.5V Low gate charge Excellent thermal and electrical capabilities Pb

Другие IGBT... MTP2955L3, MTP3001N3, MTP3401N3, MTP3403AN3, MTP3403KN3, MTP3403N3, MTP3413N3, MTP3415KN3, IRFB4115, MTP3J15Y3, MTP3LP01N3, MTP3LP01S3, MTP3LP01Y3, MTP405CJ3, MTP405J3, MTP4060J3, MTP4151N3