MTP452M3 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

MTP452M3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP452M3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT-89

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MTP452M3 datasheet

..1. Size:278K cystek
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Spec. No. C426M3 Issued Date 2012.02.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m (typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m (typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

8.1. Size:358K cystek
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Spec. No. C400L3 Issued Date 2009.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3 D S G Gate D

9.1. Size:1691K motorola
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