MTP452M3 Todos los transistores

 

MTP452M3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP452M3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-89

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MTP452M3 Datasheet (PDF)

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MTP452M3
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Spec. No. : C426M3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m(typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m(typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

 8.1. Size:358K  cystek
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MTP452M3
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Spec. No. : C400L3 Issued Date : 2009.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6AFeatures Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3D S GGate D

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MTP452M3
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