Справочник MOSFET. MTP452M3

 

MTP452M3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP452M3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.3 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 11 nC
   Время нарастания (tr): 3 ns
   Выходная емкость (Cd): 55 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для MTP452M3

 

 

MTP452M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:278K  cystek
 mtp452m3.pdf

MTP452M3 MTP452M3

Spec. No. : C426M3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 30V P-CHANNEL Enhancement Mode MOSFET MTP452M3 Features Single Drive Requirement Low On-resistance, RDS(ON)=50m(typ.)@VGS=-10V, ID=-3.2A RDS(ON)=72m(typ.)@VGS=-4.5V, ID=-2.6A Ultra High Speed Switching Pb-free package Symbol Outline MTP452M3 SOT-89

 8.1. Size:358K  cystek
 mtp452l3.pdf

MTP452M3 MTP452M3

Spec. No. : C400L3 Issued Date : 2009.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP452L3 RDSON(MAX) 55m ID -6AFeatures Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP452L3D S GGate D

 9.1. Size:1691K  motorola
 mtm45n05e mtp45n05e.pdf

MTP452M3 MTP452M3

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top