MTP5103J3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP5103J3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-252

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MTP5103J3 datasheet

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MTP5103J3

Spec. No. C400J3 Issued Date 2012.02.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP5103J3 ID -23A 35m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m (typ.) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

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MTP5103J3

Spec. No. C400N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2011.11.28 Revised Date 2017.06.23 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID @TA=25 C , VGS=-10V -4.5A MTP5103N3 41m VGS=-10V, ID=-4.5A RDSON(TYP) 60m VGS=-4.5V, ID=-3.5A Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technolog

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