MTP5103J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP5103J3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MTP5103J3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5103J3 даташит

 ..1. Size:302K  cystek
 mtp5103j3.pdf pdf_icon

MTP5103J3

Spec. No. C400J3 Issued Date 2012.02.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP5103J3 ID -23A 35m (typ.) RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m (typ.) Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

 7.1. Size:359K  cystek
 mtp5103n3.pdf pdf_icon

MTP5103J3

Spec. No. C400N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2011.11.28 Revised Date 2017.06.23 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30V ID @TA=25 C , VGS=-10V -4.5A MTP5103N3 41m VGS=-10V, ID=-4.5A RDSON(TYP) 60m VGS=-4.5V, ID=-3.5A Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technolog

Другие IGBT... MTP4435V8, MTP4463Q8, MTP452L3, MTP452M3, MTP4835AQ8, MTP4835L3, MTP4835Q8, MTP4835V8, IRF1010E, MTP5103N3, MTP5210F3, MTP5614N6, MTP6405N6, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8