Справочник MOSFET. MTP5103J3

 

MTP5103J3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTP5103J3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP5103J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  cystek
 mtp5103j3.pdf pdf_icon

MTP5103J3

Spec. No. : C400J3 Issued Date : 2012.02.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2013.12.26 Page No. : 1/8 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30VMTP5103J3 ID -23A35m(typ.)RDSON@VGS=-10V, ID=-10A 57m(typ.)Features RDSON@VGS=-4.5V, ID=-5A Low Gate Charge Simple Drive Requirement Pb-free lead plating & Halogen-free package

 7.1. Size:359K  cystek
 mtp5103n3.pdf pdf_icon

MTP5103J3

Spec. No. : C400N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2011.11.28 Revised Date : 2017.06.23 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode MOSFET BVDSS -30VID @TA=25C , VGS=-10V -4.5A MTP5103N3 41m VGS=-10V, ID=-4.5A RDSON(TYP) 60m VGS=-4.5V, ID=-3.5A Features Low gate charge Compact and low profile SOT-23 package Advanced trench process technolog

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AUIRFR2405 | CMLM0205 | STN4526 | SST215 | IRFH4253D | R6024ENJ | MTP4403SQ8

 

 
Back to Top

 


 
.