MTP9435L3 Todos los transistores

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MTP9435L3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP9435L3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.7 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 8 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 222 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.06 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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MTP9435L3 Datasheet (PDF)

1.1. mtp9435l3.pdf Size:358K _cystek

MTP9435L3
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Spec. No. : C400L3 Issued Date : 2009.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP9435L3 RDSON(MAX) 60mΩ ID -6A Features • Simple Drive Requirement • Low On-resistance • Fast switching Characteristic • Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP9435L3 D S G:Gate

3.1. mtp9435q8.pdf Size:343K _cystek

MTP9435L3
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Spec. No. : C426Q8 Issued Date : 2006.03.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2013.03.01 Page No. : 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP9435Q8 ID -5.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-5.3A 50mΩ(typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 75mΩ(typ) Features • Simple Drive Requirement • Low On-resistance • Fast switching Characteristic • Pb-free lead plat

3.2. mtp9435bdyaq8.pdf Size:297K _cystek

MTP9435L3
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Spec. No. : C386Q8 Issued Date : 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2012.03.26 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP9435BDYAQ8 BVDSS -30V ID -8.4A 23mΩ(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-7A 38mΩ(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MTP9435BDYAQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

3.3. mtp9435bdyq8.pdf Size:295K _cystek

MTP9435L3
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Spec. No. : C386Q8 Issued Date : 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date : 2012.03.26 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP9435BDYQ8 ID -8.4A 22mΩ(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-7A 35mΩ(typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MTP9435BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

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