MTP9435L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP9435L3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 222 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для MTP9435L3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP9435L3 даташит

 ..1. Size:358K  cystek
 mtp9435l3.pdf pdf_icon

MTP9435L3

Spec. No. C400L3 Issued Date 2009.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP9435L3 RDSON(MAX) 60m ID -6A Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plating package Symbol Outline SOT-223 MTP9435L3 D S G Gate

 7.1. Size:295K  cystek
 mtp9435bdyq8.pdf pdf_icon

MTP9435L3

Spec. No. C386Q8 Issued Date 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.26 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -30V MTP9435BDYQ8 ID -8.4A 22m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-7A 35m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MTP9435BDYQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

 7.2. Size:343K  cystek
 mtp9435q8.pdf pdf_icon

MTP9435L3

Spec. No. C426Q8 Issued Date 2006.03.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.03.01 Page No. 1/8 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -30V MTP9435Q8 ID -5.6A RDSON@VGS=-10V, ID=-5.3A 50m (typ) RDSON@VGS=-4.5V, ID=-4.2A 75m (typ) Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free lead plat

 7.3. Size:297K  cystek
 mtp9435bdyaq8.pdf pdf_icon

MTP9435L3

Spec. No. C386Q8 Issued Date 2007.06.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.03.26 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP9435BDYAQ8 BVDSS -30V ID -8.4A 23m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-10V, ID=-7A 38m (typ.) RDSON(MAX)@VGS=-4.5V, ID=-5A Description The MTP9435BDYAQ8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MTP5210F3, MTP5614N6, MTP6405N6, MTP658G6, MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, AO4407, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, MTP9575Q8, MTP9620Q8, MTP9620V8, MTS3572G6, AO3160