MTP9575J3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP9575J3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Qgⓘ - Carga de la puerta: 17 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP9575J3
MTP9575J3 Datasheet (PDF)
mtp9575j3.pdf
Spec. No. : C404J3 Issued Date : 2008.09.19 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60VID -15AMTP9575J3 RDSON 90m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTP9575J3GGate G D S D
mtp9575l3.pdf
Spec. No. : C404L3 Issued Date : 2007.06.22 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTP9575L3 Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline SOT-223 MTP9575L3D S GGate D DDrain G SSource Absolute Maximum Ra
mtp9575q8.pdf
Spec. No. : C404Q8 Issued Date : 2008.02.04 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2011.03.21 Page No. : 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP9575Q8 Description The MTP9575Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack
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Liste
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