MTP9575Q8 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP9575Q8

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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MTP9575Q8 datasheet

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MTP9575Q8

Spec. No. C404Q8 Issued Date 2008.02.04 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.03.21 Page No. 1/7 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET MTP9575Q8 Description The MTP9575Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost effectiveness. The SOP-8 pack

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MTP9575Q8

Spec. No. C404L3 Issued Date 2007.06.22 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET MTP9575L3 Features Simple Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic Pb-free package Symbol Outline SOT-223 MTP9575L3 D S G Gate D D Drain G S Source Absolute Maximum Ra

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MTP9575Q8

Spec. No. C404J3 Issued Date 2008.09.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/7 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -60V ID -15A MTP9575J3 RDSON 90m Features Single Drive Requirement Low On-resistance Fast switching Characteristic RoHS compliant package Symbol Outline TO-252 MTP9575J3 G Gate G D S D

Otros transistores... MTP7425Q8, MTP9006E3, MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, IRF1407, MTP9620Q8, MTP9620V8, MTS3572G6, AO3160, AO3162, AO3400A, AO3402, AO3403