MTP9620V8 Todos los transistores

 

MTP9620V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP9620V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

 Búsqueda de reemplazo de MTP9620V8 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MTP9620V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  cystek
 mtp9620v8.pdf pdf_icon

MTP9620V8

Spec. No. : C573V8 Issued Date : 2013.02.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.29 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTP9620V8 ID -32ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m(typ) Simple drive requirement Low on-resis

 7.1. Size:304K  cystek
 mtp9620q8.pdf pdf_icon

MTP9620V8

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2012.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP9620Q8 ID -10ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi

Otros transistores... MTP9435BDYAQ8 , MTP9435BDYQ8 , MTP9435L3 , MTP9435Q8 , MTP9575J3 , MTP9575L3 , MTP9575Q8 , MTP9620Q8 , STP80NF70 , MTS3572G6 , AO3160 , AO3162 , AO3400A , AO3402 , AO3403 , AO3404 , AO3404A .

History: IRHNJ57234SE | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | STN2300 | 2N6917 | IXTT20N50D

 

 
Back to Top

 


 
.