MTP9620V8 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MTP9620V8
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTP9620V8

MTP9620V8 Datasheet (PDF)

..1. Size:381K cystek
mtp9620v8.pdf

Spec. No. : C573V8 Issued Date : 2013.02.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.29 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTP9620V8 ID -32ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m(typ) Simple drive requirement Low on-resis

7.1. Size:304K cystek
mtp9620q8.pdf

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2012.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP9620Q8 ID -10ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BLF7G22LS-130

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: