Справочник MOSFET. MTP9620V8

 

MTP9620V8 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MTP9620V8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для MTP9620V8

 

 

MTP9620V8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:381K  cystek
 mtp9620v8.pdf

MTP9620V8 MTP9620V8

Spec. No. : C573V8 Issued Date : 2013.02.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.04.29 Page No. : 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20VMTP9620V8 ID -32ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m(typ) Simple drive requirement Low on-resis

 7.1. Size:304K  cystek
 mtp9620q8.pdf

MTP9620V8 MTP9620V8

Spec. No. : C573Q8 Issued Date : 2012.06.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.06.26 Page No. : 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20VMTP9620Q8 ID -10ARDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m(typ)RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m(typ)RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m(typ)Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STF16N50U

 

 
Back to Top