MTP9620V8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTP9620V8

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для MTP9620V8

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTP9620V8 даташит

 ..1. Size:381K  cystek
 mtp9620v8.pdf pdf_icon

MTP9620V8

Spec. No. C573V8 Issued Date 2013.02.01 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.04.29 Page No. 1/9 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET BVDSS -20V MTP9620V8 ID -32A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m (typ) Features RDSON@VGS=-1.5V,ID=-1A 38m (typ) Simple drive requirement Low on-resis

 7.1. Size:304K  cystek
 mtp9620q8.pdf pdf_icon

MTP9620V8

Spec. No. C573Q8 Issued Date 2012.06.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.06.26 Page No. 1/8 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET BVDSS -20V MTP9620Q8 ID -10A RDSON@VGS=-4.5V, ID=-9.5A 20m (typ) RDSON@VGS=-2.5V,ID=-6A 26m (typ) RDSON@VGS=-1.8V,ID=-2A 35m (typ) Description The MTP9620Q8 is a P-channel enhancement-mode MOSFET, providing the designer wi

Другие IGBT... MTP9435BDYAQ8, MTP9435BDYQ8, MTP9435L3, MTP9435Q8, MTP9575J3, MTP9575L3, MTP9575Q8, MTP9620Q8, 10N65, MTS3572G6, AO3160, AO3162, AO3400A, AO3402, AO3403, AO3404, AO3404A