FSL9230D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FSL9230D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO205AF

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FSL9230D datasheet

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FSL9230D

FSL9230D, FSL9230R 3A, -200V, 1.50 Ohm, Rad Hard, June 1998 SEGR Resistant, P-Channel Power MOSFETs Features Description 3A, -200V, rDS(ON) = 1.50 The Discrete Products Operation of Intersil Corporation has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs specif- Total Dose ically designed for commercial and military space applica- - Meets Pre-RAD Specifications to 100K RAD

 8.1. Size:47K  harris semi
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FSL9230D

FSL923AOD, S E M I C O N D U C T O R FSL923AOR Radiation Hardened, September 1997 SEGR Resistant P-Channel Power MOSFETs Features Description 5A, -200V, rDS(ON) = 0.670 The Discrete Products Operation of Harris Semiconductor has developed a series of Radiation Hardened MOSFETs Total Dose specifically designed for commercial and military space - Meets Pre-RAD Specifications

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