AO4302 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4302

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 474 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4302 datasheet

 ..1. Size:514K  aosemi
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AO4302

AO4302 30V N-Channel MOSFET 30 36 General Description Product Summary VDS 30V The AO4302 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 23A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:2098K  kexin
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AO4302

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4302 (KO4302) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 23 A (VGS = 10V) RDS(ON) 4m (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 5m (VGS = 4.5V) ESD Rating 2000V HBM 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source D D 8 Drain 4 Gate G G S S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Dr

 9.1. Size:437K  aosemi
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AO4302

AO4306 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4306 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. ID (at VGS=10V) 13A This device is suitable for high side switch in SMPS and RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:532K  aosemi
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AO4302

AO4304 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4304 combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 18A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)

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