AO4447 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4447
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 88.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 745 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4447

AO4447 Datasheet (PDF)

..1. Size:169K aosemi
ao4447.pdf

AO444730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4447 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30Vprovide excellent RDS(ON), and ultra-low low gateID = -15 A (VGS = -10V)charge. This device is suitable for use as a loadMax RDS(ON)

..2. Size:1526K kexin
ao4447.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4447 (KO4447)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-15 A (VGS =-10V) RDS(ON) 7.5m (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 12m (VGS =-4.5V) ESD Rating: 4KV HBM1 Source 5 Drain6 DrainD 2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source

0.1. Size:302K aosemi
ao4447a.pdf

AO4447A30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary The AO4447A uses advanced trench technology to VDS -30Vprovide excellent RDS(ON) with low gate charge.This ID (at VGS = -10V) -17Adevice is ideal for load switch and battery protection RDS(ON) (at VGS = -10V)

0.2. Size:1685K kexin
ao4447a.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4447A (KO4447A)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-17 A (VGS =-10V) RDS(ON) 7m (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 8m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 9m (VGS =-4V)1 Source 5 Drain ESD Rating: 2000V HBM6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDRgGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Par

0.3. Size:821K cn vbsemi
ao4447a.pdf

AO4447Awww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: DKI04103 | AP65SL190DR

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: