Справочник MOSFET. AO4447

 

AO4447 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AO4447
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 745 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для AO4447

 

 

AO4447 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:169K  aosemi
 ao4447.pdf

AO4447 AO4447

AO444730V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4447 uses advanced trench technology to VDS (V) = -30Vprovide excellent RDS(ON), and ultra-low low gateID = -15 A (VGS = -10V)charge. This device is suitable for use as a loadMax RDS(ON)

 ..2. Size:1526K  kexin
 ao4447.pdf

AO4447 AO4447

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4447 (KO4447)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-15 A (VGS =-10V) RDS(ON) 7.5m (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 12m (VGS =-4.5V) ESD Rating: 4KV HBM1 Source 5 Drain6 DrainD 2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source

 0.1. Size:302K  aosemi
 ao4447a.pdf

AO4447 AO4447

AO4447A30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary The AO4447A uses advanced trench technology to VDS -30Vprovide excellent RDS(ON) with low gate charge.This ID (at VGS = -10V) -17Adevice is ideal for load switch and battery protection RDS(ON) (at VGS = -10V)

 0.2. Size:1685K  kexin
 ao4447a.pdf

AO4447 AO4447

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4447A (KO4447A)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-17 A (VGS =-10V) RDS(ON) 7m (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 8m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 9m (VGS =-4V)1 Source 5 Drain ESD Rating: 2000V HBM6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDRgGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Par

 0.3. Size:821K  cn vbsemi
 ao4447a.pdf

AO4447 AO4447

AO4447Awww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = - 10 V - 13.5 100 % Rg TestedRoHS- 30 29.5 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.015 at VGS = - 4.5 V - 11.6APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSO-8 S S1 8 DS D2 7G

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top