AO4496 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4496
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0195 Ohm
Encapsulados: SO-8
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AO4496 datasheet
ao4496.pdf
AO4496 General Description Product Summary The AO4496 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This ID = 10A (VGS = 10V) device is suitable for use as a DC-DC converter RDS(ON)
ao4496.pdf
SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4496 (KO4496) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 10 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 19.5m (VGS = 10V) RDS(ON) 26m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30
ao4490.pdf
AO4490 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4490 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 16A (VGS = 10V) operation with gate voltages as low as 4.5V, while RDS(ON)
ao4498e.pdf
AO4498E 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V The AO4498E combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 18A extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS=10V)
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History: AO4459
🌐 : EN ES РУ
Liste
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