AO4576 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4576

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 441 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4576 datasheet

 ..1. Size:330K  aosemi
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AO4576

AO4576 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:1558K  kexin
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AO4576

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4576 (KO4576) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 5.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 9.8m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30

 9.1. Size:333K  aosemi
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AO4576

AO4578 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 20A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.2. Size:1693K  kexin
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AO4576

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4578 (KO4578) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V ID = 20 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 5.7m (VGS = 10V) RDS(ON) 9m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30

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