AO4627 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4627
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5(3.5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 1.5(4.1) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35(42) pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05(0.1) Ohm
Encapsulados: SO-8
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AO4627 datasheet
ao4627.pdf
AO4627 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary The AO4627 uses advanced trench technology to provide N-Channel P-Channel excellent RDS(ON) and low gate charge. This VDS= 30V -30V complementary N and P channel MOSFET configuration ID= 4.5A (VGS=10V) -3.5A (VGS=-10V) is ideal for low Input Voltage inverter applications. RDS(ON) RDS(ON)
ao4629.pdf
AO4629 30V Complementary MOSFET General Description Product Summary AO4629 uses advanced trench technology to provide N-Channel P-Channel excellent RDS(ON) and low gate charge. This VDS= 30V -30V complementary N and P channel MOSFET configuration is ID= 6A (VGS=10V) -5.5A (VGS=-10V) ideal for low Input Voltage inverter applications. RDS(ON) RDS(ON)
ao4622.pdf
AO4622 20V Dual P + N-Channel MOSFET General Description Product Summary N-Channel P-Channel The AO4622 uses advanced trench technology VDS (V) = 20V -20V MOSFETs to provide excellent RDS(ON) and low gate ID = 7.3A (VGS=4.5V) -5A (VGS=-4.5V) charge. The complementary MOSFETs may be used RDS(ON) RDS(ON) to form a level shifted high side switch, and for a
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