AO4752 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AO4752 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4752

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4752 datasheet

..1. Size:362K aosemi
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AO4752 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 15A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:2257K kexin
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SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO4752 (KO4752) SOP-8 Unit mm Features VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 8.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 15.5m (VGS = 4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source SRFETTM Soft Recovery MOSFET Integrated Schottky Diode 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Otros transistores... AO4629, AO4706, AO4710, AO4712, AO4714, AO4718, AO4720, AO4724, IRFZ48N, AO4771, AO4800, AO4800B, AO4801, AO4801A, AO4803, AO4803A, AO4805

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