AO4752 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4752
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0088 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4752

AO4752 Datasheet (PDF)

..1. Size:362K aosemi
ao4752.pdf

AO475230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 15A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:2257K kexin
ao4752.pdf

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4752 (KO4752)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 8.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 15.5m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 SourceSRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: