AO4752 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AO4752
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm
Тип корпуса: SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AO4752 Datasheet (PDF)
ao4752.pdf

AO475230V N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryVDS30V Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) ID (at VGS=10V) 15A Very Low RDS(on) at 4.5VGS RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4752.pdf

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFETAO4752 (KO4752)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 15 A (VGS = 10V) RDS(ON) 8.8m (VGS = 10V) RDS(ON) 15.5m (VGS = 4.5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 SourceSRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 Drain3 Source8 Drain4 GateDG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SM1F14NSKP | PMN70XPE | GSM2301A | NTP2955 | GP1M009A050XXX | LR024N | SMK0460D
History: SM1F14NSKP | PMN70XPE | GSM2301A | NTP2955 | GP1M009A050XXX | LR024N | SMK0460D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031