AO4800B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4800B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4800B

AO4800B Datasheet (PDF)

..1. Size:360K aosemi
ao4800b.pdf

AO4800B30V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4800B uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two ID (at VGS=10V) 6.9AMOSFETs make a compact and efficient switch and RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:360K aosemi
ao4800.pdf

AO480030V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4800 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs ID (at VGS=10V) 6.9Amake a compact and efficient switch and synchronous RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:1289K kexin
ao4800.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4800 (KO4800)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 6.9 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D2D1G2G1S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

8.3. Size:852K cn vbsemi
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AO4800www.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box L

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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