Справочник MOSFET. AO4800B

 

AO4800B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4800B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для AO4800B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4800B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  aosemi
ao4800b.pdfpdf_icon

AO4800B

AO4800B30V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4800B uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. The two ID (at VGS=10V) 6.9AMOSFETs make a compact and efficient switch and RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:360K  aosemi
ao4800.pdfpdf_icon

AO4800B

AO480030V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4800 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs ID (at VGS=10V) 6.9Amake a compact and efficient switch and synchronous RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:1289K  kexin
ao4800.pdfpdf_icon

AO4800B

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4800 (KO4800)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 6.9 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 27m (VGS = 10V) RDS(ON) 32m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 RDS(ON) 50m (VGS = 2.5V)6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D2D1G2G1S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit

 8.3. Size:852K  cn vbsemi
ao4800.pdfpdf_icon

AO4800B

AO4800www.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box L

Другие MOSFET... AO4712 , AO4714 , AO4718 , AO4720 , AO4724 , AO4752 , AO4771 , AO4800 , 60N06 , AO4801 , AO4801A , AO4803 , AO4803A , AO4805 , AO4806 , AO4807 , AO4812 .

History: PSMN5R0-100PS

 

 
Back to Top

 


 
.