AO4940 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4940
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6(6.5) A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 7.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 9.2(2.7) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225(67) pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015(0.021) Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4940
AO4940 Datasheet (PDF)
ao4940.pdf
AO4940Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4940 uses advanced trench technology to provide FET1 FET2excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID = 9.1A ID=7.8A (VGS = 10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)
ao4940.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4940 (KO4940)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 9.1 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 15m (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G18 G2N-Channel 2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 7.8 A
ao4948.pdf
AO494830V Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4948 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8.8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON) RDS(O
ao4948.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4948 (KO4948)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 8.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 10V)1 S1 5 D2 RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)6 D22 G17 D1SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode 3 S28 D14 G2N-Channel 2 VDS (V) = 30V ID = 8 A (VGS = 10V
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Liste
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