Справочник MOSFET. AO4940

 

AO4940 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO4940
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6(6.5) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.2(2.7) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 225(67) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015(0.021) Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4940 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:339K  aosemi
ao4940.pdfpdf_icon

AO4940

AO4940Asymmetric Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4940 uses advanced trench technology to provide FET1 FET2excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs VDS (V) = 30V VDS(V) = 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID = 9.1A ID=7.8A (VGS = 10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON)

 ..2. Size:2415K  kexin
ao4940.pdfpdf_icon

AO4940

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4940 (KO4940)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V ID = 9.1 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 15m (VGS = 10V) RDS(ON) 23m (VGS = 4.5V)1 D2 5 S2/D1 6 S2/D12 D2SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode7 S2/D13 G18 G2N-Channel 2 4 S1 VDS (V) = 30V ID = 7.8 A

 9.1. Size:447K  aosemi
ao4948.pdfpdf_icon

AO4940

AO494830V Dual N-Channel MOSFETSRFET TM General Description Product SummaryThe AO4948 uses advanced trench technology to provide FET1(N-Channel) FET2(N-Channel)excellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETsVDS= 30V 30Vmake a compact and efficient switch and synchronous ID= 8.8A (VGS=10V) 8A (VGS=10V)rectifier combination for use in DC-DC converters. A RDS(ON) RDS(O

 9.2. Size:4066K  kexin
ao4948.pdfpdf_icon

AO4940

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4948 (KO4948)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 8.8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 16m (VGS = 10V)1 S1 5 D2 RDS(ON) 22m (VGS = 4.5V)6 D22 G17 D1SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode 3 S28 D14 G2N-Channel 2 VDS (V) = 30V ID = 8 A (VGS = 10V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: GSM3310W | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | FDMS9620S | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.