AO4952 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4952
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105(0.0115) Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4952

AO4952 Datasheet (PDF)

..1. Size:514K aosemi
ao4952.pdf

AO495230V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOSGeneral Description Product SummaryQ1 Q2 Latest Trench Power AlphaMOS (MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) on Low-SideVDS 30V 30V Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 11A 11A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:2277K kexin
ao4952.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4952 (KO4952)SOP-8 Unit:mm FeaturesN-Channel 1 VDS (V) = 30V1.50 0.15 ID = 11 A (VGS = 10V) RDS(ON) 10.5m (VGS = 10V)1 D2 5 S2/D1 RDS(ON) 15.5m (VGS = 4.5V)6 S2/D12 D27 S2/D13 G1SRFETTM Soft Recovery MOSFET:Integrated Schottky Diode8 G24 S1N-Channel 2 VDS (V) = 30V ID = 1

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: