AO4952 Todos los transistores

 

AO4952 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO4952

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 275 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105(0.0115) Ohm

Encapsulados: SO-8

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AO4952 datasheet

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AO4952

AO4952 30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary Q1 Q2 Latest Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology Integrated Schottky Diode (SRFET) on Low-Side VDS 30V 30V Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ID (at VGS=10V) 11A 11A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AO4952

SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO4952 (KO4952) SOP-8 Unit mm Features N-Channel 1 VDS (V) = 30V 1.50 0.15 ID = 11 A (VGS = 10V) RDS(ON) 10.5m (VGS = 10V) 1 D2 5 S2/D1 RDS(ON) 15.5m (VGS = 4.5V) 6 S2/D1 2 D2 7 S2/D1 3 G1 SRFETTM Soft Recovery MOSFET Integrated Schottky Diode 8 G2 4 S1 N-Channel 2 VDS (V) = 30V ID = 1

Otros transistores... AO4892, AO4914, AO4922, AO4924, AO4932, AO4938, AO4940, AO4948, 7N65, AO5401E, AO5404E, AO5600E, AO5800E, AO5803E, AO5804E, AO6400, AO6401

 

 

 

 

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