AO6432 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO6432
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO6432

AO6432 Datasheet (PDF)

..1. Size:218K aosemi
ao6432.pdf

AO643230V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO6432 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 7.5A (VGS = 10V)device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

..2. Size:1430K kexin
ao6432.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAO6432 (KO6432)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features VDS (V) = 30V 6 5 4 ID =7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 24m (VGS = 10V) RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V)2 31+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1D 1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 DrainG S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter

..3. Size:842K cn vbsemi
ao6432.pdf

AO6432www.VBsemi.twN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance30 4.2 nC0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECTSOP-6APPLICATIONS DC/DC Co

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: