AO6432 Todos los transistores

 

AO6432 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO6432

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TSOP-6

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AO6432 datasheet

 ..1. Size:218K  aosemi
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AO6432

AO6432 30V N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO6432 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID = 7.5A (VGS = 10V) device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON)

 ..2. Size:1430K  kexin
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AO6432

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET AO6432 (KO6432) ( ) SOT-23-6 Unit mm 0.4+0.1 -0.1 Features VDS (V) = 30V 6 5 4 ID =7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 24m (VGS = 10V) RDS(ON) 35m (VGS = 4.5V) 2 3 1 +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 +0.2 -0.1 D 1 Drain 4 Source 2 Drain 5 Drain 3 Gate 6 Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter

 ..3. Size:842K  cn vbsemi
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AO6432

AO6432 www.VBsemi.tw N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.030 at VGS = 10 V 6 Low On-Resistance 30 4.2 nC 0.040 at VGS = 4.5 V 6 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC TSOP-6 APPLICATIONS DC/DC Co

Otros transistores... AO6408 , AO6409 , AO6409A , AO6415 , AO6420 , AO6422 , AO6424 , AO6424A , IRFB3607 , AO6601 , AO6602 , AO6604 , AO6800 , AO6801 , AO6801A , AO6801E , AO6802 .

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