AO6810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO6810
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 35 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO6810

AO6810 Datasheet (PDF)

..1. Size:517K aosemi
ao6810.pdf

AO681030V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO6810 uses advanced trench technology to VDS30Vprovide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID (at VGS=10V) 3.5Adevice is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=10V)

..2. Size:1836K kexin
ao6810.pdf

SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO6810 (KO6810)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) = 30V ID =3.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 50m (VGS = 10V)2 3 RDS(ON) 70m (VGS = 4.5V) 1+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.1D1 D2D1 D21 Gate1 4 Drain22 Source2 5 Source13 Gate2 6 Drain1G1 G2G1 G2S1 S2S1 S2 Abso

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: