AO6810 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO6810
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 1.15 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 3.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.5 V
Tiempo de elevación (tr): 1.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 35 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.05 Ohm
Empaquetado / Estuche: TSOP-6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO6810
AO6810 Datasheet (PDF)
1.1. ao6810.pdf 
Size:517K _aosemi
AO6810 30V Dual N-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO6810 uses advanced trench technology to VDS 30V provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This ID (at VGS=10V) 3.5A device is suitable for use as a load switch or in PWM RDS(ON) (at VGS=10V) < 50mΩ applications. RDS(ON) (at VGS = 4.5V) < 70mΩ D1 D2 D1 D2 TSOP6 TSOP6 Top View Top View G1 G1
1.2. ao6810.pdf Size:1836K _kexin
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET AO6810 (KO6810) ( ) SOT-23-6 Unit: mm 0.4+0.1 -0.1 ■ Features 6 5 4 ● VDS (V) = 30V ● ID =3.5 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) ＜ 50mΩ (VGS = 10V) 2 3 ● RDS(ON) ＜ 70mΩ (VGS = 4.5V) 1 +0.02 0.15 -0.02 +0.01 -0.01 +0.2 -0.1 D1 D2 D1 D2 1 Gate1 4 Drain2 2 Source2 5 Source1 3 Gate2 6 Drain1 G1 G2 G1 G2 S1 S2 S1 S2 ■ Abso
Otros transistores... IRFP333 , IRFP340 , IRFP340A , IRFP341 , IRFP342 , IRFP343 , IRFP344 , IRFP350 , 75339P , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC .
