AO7800 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO7800
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO7800

AO7800 Datasheet (PDF)

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ao7800.pdf

AO7800Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7800 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.9 A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

9.1. Size:126K aosemi
ao7801.pdf

AO7801Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7801 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = -0.6A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

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Liste

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