AO7801 Todos los transistores

 

AO7801 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO7801
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70-6
 

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AO7801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  aosemi
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AO7801

AO7801Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7801 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = -0.6A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

 9.1. Size:111K  aosemi
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AO7801

AO7800Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7800 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.9 A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

Otros transistores... AO7411 , AO7412 , AO7413 , AO7414 , AO7415 , AO7417 , AO7600 , AO7800 , AO3401 , AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 .

History: IPI35CN10N | 2SK3712-Z | HAT2099H | RU120N15Q | AO6602 | AP25T03GJ | BRCS045N08SHRA

 

 
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