AO7801 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO7801
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Encapsulados: SC70-6
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AO7801 datasheet
ao7801.pdf
AO7801 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO7801 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = -0.6A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)
ao7800.pdf
AO7800 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO7800 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.9 A (VGS = 4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)
Otros transistores... AO7411 , AO7412 , AO7413 , AO7414 , AO7415 , AO7417 , AO7600 , AO7800 , P60NF06 , AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 .
History: WMB034N06LG4
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Liste
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