AO7801 - описание и поиск аналогов

 

AO7801. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AO7801

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: SC70-6

Аналог (замена) для AO7801

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO7801 даташит

 ..1. Size:126K  aosemi
 ao7801.pdf pdf_icon

AO7801

AO7801 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO7801 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = -0.6A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

 9.1. Size:111K  aosemi
 ao7800.pdf pdf_icon

AO7801

AO7800 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO7800 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.9 A (VGS = 4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

Другие MOSFET... AO7411 , AO7412 , AO7413 , AO7414 , AO7415 , AO7417 , AO7600 , AO7800 , P60NF06 , AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.