Справочник MOSFET. AO7801

 

AO7801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO7801
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6
 

 Аналог (замена) для AO7801

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO7801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  aosemi
 ao7801.pdf pdf_icon

AO7801

AO7801Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7801 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = -0.6A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

 9.1. Size:111K  aosemi
 ao7800.pdf pdf_icon

AO7801

AO7800Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7800 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.9 A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

Другие MOSFET... AO7411 , AO7412 , AO7413 , AO7414 , AO7415 , AO7417 , AO7600 , AO7800 , AO3401 , AO8801 , AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 .

History: AFN5808W | NTD6600N | MMN8818N | FDU8586 | SFF140J | DMP3098L | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.