Справочник MOSFET. AO7801

 

AO7801 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AO7801
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: SC70-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AO7801 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  aosemi
 ao7801.pdf pdf_icon

AO7801

AO7801Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7801 uses advanced trench technology to VDS (V) = -20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge, and ID = -0.6A (VGS = -4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

 9.1. Size:111K  aosemi
 ao7800.pdf pdf_icon

AO7801

AO7800Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AO7800 uses advanced trench technology to VDS (V) = 20Vprovide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = 0.9 A (VGS = 4.5V)operation with gate voltages as low as 1.8V, in the RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HM50P03D | SIHG47N60S | MSU2N60F | HGI110N08AL | FDU8586 | AP18N20GH-HF | 9N95

 

 
Back to Top

 


 
.