AO8822 Todos los transistores

 

AO8822 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AO8822
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP-8
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AO8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  aosemi
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AO8822

AO882220V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8822 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

 9.1. Size:200K  aosemi
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AO8822

AO882020V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8820 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)

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History: FDD13AN06A0-F085 | SPD30N03S2L-07G | FCP165N60E

 

 
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