AO8822 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO8822
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 450 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP-8
AO8822 Datasheet (PDF)
ao8822.pdf

AO882220V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8822 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)
ao8820.pdf

AO882020V Common-Drain Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS20VThe AO8820 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=10V) 7Avoltages as low as 1.8V while retaining a 12V VGS(MAX) RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AO8801A , AO8804 , AO8807 , AO8808A , AO8810 , AO8814 , AO8818 , AO8820 , 60N06 , AO8830 , AO9926B , AO9926C , AOB10N60 , AOB10T60P , AOB1100L , AOB11C60 , AOB11N60 .
History: SIL3400A | PMDPB95XNE | SPD30N03S2L-07G | AM3524C
History: SIL3400A | PMDPB95XNE | SPD30N03S2L-07G | AM3524C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1018AG | JMSL1013AGD | JMSL10130PUD | JMSL10130AY | JMSL10130AUD | JMSL10130APD | JMSL10130AP | JMSL10130AM | JMSL10130AL | JMSL10130AK | JMSL10130AGD | JMSL1009PUN | JMSL1009PP | JMSL1009PK | JMSL1009PG | JMSL1009PF
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