AOB42S60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOB42S60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.109 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

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AOB42S60 Datasheet (PDF)

..1. Size:302K aosemi
aob42s60.pdf

AOT42S60/AOB42S60TM600V 37A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOT42S60 & AOB42S60 have been fabricated using IDM 166Athe advanced MOSTM high voltage process that isdesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.109robustness in switching applications. Qg,typ 40nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS alo

..2. Size:239K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor AOB42S60FEATURESDrain Current I = 37A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 109m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andgen

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History: 2SK3448

Liste

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