GFB50N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GFB50N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: TO263

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GFB50N03 datasheet

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Otros transistores... FSS913AOD, FSS913AOR, FSS9230D, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR, FSYA250D, FSYA250R, SI2302, GFB70N03, GFD30N03, GFP50N03, GFP70N03, H5N2001LD, H5N2001LS, H5N2503P, H5N5004PL