GFD30N03 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: GFD30N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: TO252

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GFD30N03 datasheet

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Otros transistores... FSS9230D, FSS9230R, FSS923AOD, FSS923AOR, FSYA250D, FSYA250R, GFB50N03, GFB70N03, 18N50, GFP50N03, GFP70N03, H5N2001LD, H5N2001LS, H5N2503P, H5N5004PL, H5N5005PL, H7N0302LS