GFD30N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: GFD30N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO252

Другие MOSFET... FSS9230D , FSS9230R , FSS923AOD , FSS923AOR , FSYA250D , FSYA250R , GFB50N03 , GFB70N03 , IRFB31N20D , GFP50N03 , GFP70N03 , H5N2001LD , H5N2001LS , H5N2503P , H5N5004PL , H5N5005PL , H7N0302LS .