AOD3T40P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD3T40P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
Encapsulados: TO-252
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AOD3T40P datasheet
aod3t40p.pdf
AOD3T40P 400V,2A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 500V Low RDS(ON) IDM 6.5A Low Ciss and Crss RDS(ON),max
aod3t40p.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD3T40P FEATURES Drain Current I = 2.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =3.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos
Otros transistores... AOD2922 , AOD2N100 , AOD2N60 , AOD2N60A , AOD3N40 , AOD3N50 , AOD3N60 , AOD3N80 , 60N06 , AOD403 , AOD407 , AOD409 , AOD4102 , AOD4120 , AOD4124 , AOD4126 , AOD4128 .
History: HFP75N80C
History: HFP75N80C
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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