AOD3T40P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD3T40P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de AOD3T40P MOSFET
AOD3T40P Datasheet (PDF)
aod3t40p.pdf

AOD3T40P400V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 500V Low RDS(ON) IDM 6.5A Low Ciss and Crss RDS(ON),max
aod3t40p.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD3T40PFEATURESDrain Current I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =3.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
Otros transistores... AOD2922 , AOD2N100 , AOD2N60 , AOD2N60A , AOD3N40 , AOD3N50 , AOD3N60 , AOD3N80 , AO4468 , AOD403 , AOD407 , AOD409 , AOD4102 , AOD4120 , AOD4124 , AOD4126 , AOD4128 .
History: AP20T15GM | CEU12N10L | 2N60L-TF1-T | INK0103AM1 | WMN15N65C4 | 2SK3078 | IRFB3607
History: AP20T15GM | CEU12N10L | 2N60L-TF1-T | INK0103AM1 | WMN15N65C4 | 2SK3078 | IRFB3607



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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