Справочник MOSFET. AOD3T40P

 

AOD3T40P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOD3T40P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AOD3T40P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOD3T40P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:462K  aosemi
 aod3t40p.pdf pdf_icon

AOD3T40P

AOD3T40P400V,2A N-Channel MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 500V Low RDS(ON) IDM 6.5A Low Ciss and Crss RDS(ON),max

 ..2. Size:265K  inchange semiconductor
 aod3t40p.pdf pdf_icon

AOD3T40P

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD3T40PFEATURESDrain Current I = 2.0A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R =3.3(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... AOD2922 , AOD2N100 , AOD2N60 , AOD2N60A , AOD3N40 , AOD3N50 , AOD3N60 , AOD3N80 , AO4468 , AOD403 , AOD407 , AOD409 , AOD4102 , AOD4120 , AOD4124 , AOD4126 , AOD4128 .

History: IRF5806 | IPL65R650C6S | IPI65R280E6

 

 
Back to Top

 


 
.