AOD3T40P. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AOD3T40P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.3 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для AOD3T40P
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AOD3T40P даташит
aod3t40p.pdf
AOD3T40P 400V,2A N-Channel MOSFET General Description Product Summary Trench Power AlphaMOS-II technology VDS @ Tj,max 500V Low RDS(ON) IDM 6.5A Low Ciss and Crss RDS(ON),max
aod3t40p.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD3T40P FEATURES Drain Current I = 2.0A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =3.3 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos
Другие MOSFET... AOD2922 , AOD2N100 , AOD2N60 , AOD2N60A , AOD3N40 , AOD3N50 , AOD3N60 , AOD3N80 , 60N06 , AOD403 , AOD407 , AOD409 , AOD4102 , AOD4120 , AOD4124 , AOD4126 , AOD4128 .
History: NTJS3151P | AP10P10GK-HF | NTJD5121N | MDP18N50TH | SFS08R08BF | IXFA102N15T | TK560A60Y
History: NTJS3151P | AP10P10GK-HF | NTJD5121N | MDP18N50TH | SFS08R08BF | IXFA102N15T | TK560A60Y
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771

