AOD504 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOD504
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 Ohm
Encapsulados: TO-252
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AOD504 datasheet
aod504.pdf
AOD504 25V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power MOSFET technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aod504.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOD504 FEATURES Drain Current I = 46A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =25V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 5.0m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
aod502.pdf
AOD502 25V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Latest Trench Power MOSFET technology 25V Very Low RDS(on) at 4.5VGS ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
aod508.pdf
AOD508/AOI508 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS 30V Latest Trench Power MOSFET technology Very Low RDS(on) at 10VGS ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)
Otros transistores... AOD496 , AOD496A , AOD498 , AOD4N60 , AOD4S60 , AOD4T60 , AOD4T60P , AOD502 , STP80NF70 , AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 , AOD536 , AOD538 .
History: FQA28N50 | IXFE48N50Q | WM03N86M2
History: FQA28N50 | IXFE48N50Q | WM03N86M2
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