AOD538 Todos los transistores

 

AOD538 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOD538

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 915 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm

Encapsulados: TO-252

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AOD538 datasheet

 ..1. Size:655K  aosemi
aod538 aoi538.pdf pdf_icon

AOD538

AOD538/AOI538 30V N-Channel MOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:308K  aosemi
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AOD538

AOD538/AOI538 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 70A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..3. Size:266K  inchange semiconductor
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AOD538

isc N-Channel MOSFET Transistor AOD538 FEATURES Drain Current I = 70A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =30V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 3.1m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

 9.1. Size:348K  aosemi
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AOD538

AOD536 30V N-Channel AlphaMOS General Description Product Summary VDS Trench Power AlphaMOS ( MOS LV) technology 30V Low RDS(ON) ID (at VGS=10V) 46A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOD504 , AOD508 , AOD510 , AOD514 , AOD516 , AOD526 , AOD528 , AOD536 , 2SK3568 , AOD5N40 , AOD5N50 , AOD5T40P , AOD603A , AOD607 , AOD609 , AOD6N50 , AOD7N60 .

 

 

 


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