AOI11S60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOI11S60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.399 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOI11S60

AOI11S60 Datasheet (PDF)

..1. Size:394K aosemi
aoi11s60.pdf

AOD11S60/AOI11S60TM600V 11A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOD11S60 & AOI11S60 have been fabricated usingthe advanced MOSTM high voltage process that is IDM 45Adesigned to deliver high levels of performance and RDS(ON),max 0.399robustness in switching applications. Qg,typ 11nCBy providing low RDS(on), Qg and

..2. Size:272K inchange semiconductor
aoi11s60.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOI11S60FEATURESDrain Current I = 11A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.399(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpur

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Liste

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