AOI4N60 Todos los transistores

 

AOI4N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOI4N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A
 

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AOI4N60 Datasheet (PDF)

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AOI4N60

AOD4N60/AOI4N60/AOU4N60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD4N60 & AOI4N60 & AOU4N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 4Aperformance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOI4N60

AOD4N60/AOI4N60/AOU4N60600V,4A N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AOD4N60 & AOI4N60 & AOU4N60 have beenfabricated using an advanced high voltage MOSFET VDS 700V@150process that is designed to deliver high levels of ID (at VGS=10V) 4Aperformance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOI4185 , AOI423 , AOI4286 , AOI442 , AOI444 , AOI468 , AOI478 , AOI482 , IRF840 , AOI4S60 , AOI4T60 , AOI4T60P , AOI508 , AOI510 , AOI514 , AOI516 , AOI530 .

History: BUK114-50L-S | AP60L02GJ | NTGS3447PT1G | CWDM305N | NCE40P15K | AP4533GEM-HF

 

 
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