AOI7S65 Todos los transistores

 

AOI7S65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOI7S65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251A
 

 Búsqueda de reemplazo de AOI7S65 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

AOI7S65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  aosemi
 aoi7s65.pdf pdf_icon

AOI7S65

AOD7S65/AOU7S65/AOI7S65TM650V 7A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 750VThe AOD7S65 & AOU7S65 & AOI7S65 have beenfabricated using the advanced MOSTM high voltage IDM 30Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON),max 0.65performance and robustness in switching applications. Qg,typ 9.2nCBy providing low RD

Otros transistores... AOI510 , AOI514 , AOI516 , AOI530 , AOI538 , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 , IRF3710 , AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 , AOK18N65 , AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 .

History: WFF15N60 | MSD23N22 | PSMN7R0-40LS | AP9971GD | PH2530AL | TPCC8084 | HGK043N15S

 

 
Back to Top

 


 
.