Справочник MOSFET. AOI7S65

 

AOI7S65 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOI7S65
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO-251A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOI7S65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  aosemi
 aoi7s65.pdf pdf_icon

AOI7S65

AOD7S65/AOU7S65/AOI7S65TM650V 7A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 750VThe AOD7S65 & AOU7S65 & AOI7S65 have beenfabricated using the advanced MOSTM high voltage IDM 30Aprocess that is designed to deliver high levels of RDS(ON),max 0.65performance and robustness in switching applications. Qg,typ 9.2nCBy providing low RD

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: PMCXB900UE | DMC3018LSD-13 | CS10N80V | SI6923DQ | FDMC010N08C | MEE3712F | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.