AOK18N65 Todos los transistores

 

AOK18N65 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOK18N65

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 271 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.39 Ohm

Encapsulados: TO-247

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AOK18N65 datasheet

 ..1. Size:443K  aosemi
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AOK18N65

AOK18N65 650V,18A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOK18N65 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 18A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

 ..2. Size:378K  inchange semiconductor
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AOK18N65

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK18N65 FEATURES Drain Current I = 18A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =650V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R =0.39 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos

 0.1. Size:443K  aosemi
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AOK18N65

AOK18N65 650V,18A N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS 750V@150 The AOK18N65 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high ID (at VGS=10V) 18A levels of performance and robustness in popular AC-DC RDS(ON) (at VGS=10V)

Otros transistores... AOI538 , AOI5N40 , AOI7N60 , AOI7N65 , AOI7S65 , AOI8N25 , AOI9N50 , AOK10N90 , AON6414A , AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 , AOK29S50 , AOK40N30 , AOK42S60 , AOK53S60 .

 

 

 


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