AOK27S60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOK27S60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

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AOK27S60 Datasheet (PDF)

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AOK27S60TM600V 27A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOK27S60 has been fabricated using the advancedMOSTM high voltage process that is designed to deliver IDM 110Ahigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.16applications. Qg,typ 26nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eo

0.1. Size:244K aosemi
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isc N-Channel MOSFET Transistor AOK27S60LFEATURESDrain Current I = 27A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.16(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONBe suitable for synchronous rectification for server andge

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Liste

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