AOK53S60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOK53S60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
Encapsulados: TO-247
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AOK53S60 datasheet
aok53s60.pdf
AOK53S60 TM 600V 53A MOS Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V The AOK53S60 has been fabricated using the advanced IDM 215A MOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.07 applications. Qg,typ 59nC By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss @ 400V
aok53s60.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor AOK53S60 FEATURES Drain Current I = 53A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 600V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.07 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp
Otros transistores... AOK18N65 , AOK20N60 , AOK20S60 , AOK22N50 , AOK27S60 , AOK29S50 , AOK40N30 , AOK42S60 , IRF9540 , AOK5N100 , AOK60N30 , AOK8N80 , AOK9N90 , AOL1202 , AOL1208 , AOL1240 , AOL1242 .
History: LSG65R950HT | NTD24N06-001 | AOK60N30
History: LSG65R950HT | NTD24N06-001 | AOK60N30
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