AOK53S60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOK53S60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 102 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 222 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOK53S60

AOK53S60 Datasheet (PDF)

..1. Size:537K aosemi
aok53s60.pdf

AOK53S60TM600V 53A MOS Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700VThe AOK53S60 has been fabricated using the advanced IDM 215AMOSTM high voltage process that is designed to deliverhigh levels of performance and robustness in switching RDS(ON),max 0.07applications. Qg,typ 59nCBy providing low RDS(on), Qg and EOSS along with Eoss @ 400V

..2. Size:378K inchange semiconductor
aok53s60.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor AOK53S60FEATURESDrain Current I = 53A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.07(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: