AOL1401 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AOL1401
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 38 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 61.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 560 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: ULTRA-SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AOL1401

AOL1401 Datasheet (PDF)

..1. Size:144K aosemi
aol1401.pdf

AOL1401P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOL1401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), and ultra-low low gate VDS (V) = -38Vcharge with a 25V gate rating. This device is suitable ID = -85Afor use as a load switch or in PWM applications. It is RDS(ON)

8.1. Size:352K aosemi
aol1404g.pdf

AOL1404G20V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 46A RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) (at VGS=4.5V)

8.2. Size:231K aosemi
aol1404.pdf

AOL140420V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AOL1404 combines advanced trench MOSFET 20Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=4.5V)45Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch

8.3. Size:208K aosemi
aol1408.pdf

AOL1408N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThe AOL1408 uses advanced trench technology to VDS (V) = 30Vprovide excellent RDS(ON), shoot-through immunity and ID = 85A (VGS = 10V)body diode characteristics. This device is ideally suited RDS(ON)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: