AOL1700 Todos los transistores

 

AOL1700 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOL1700

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 682 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: ULTRA-SO8

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AOL1700 datasheet

 ..1. Size:244K  aosemi
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AOL1700

AOL1700 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM VDS (V) = 30V SRFET AOL1700 uses advanced trench ID =85A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

 8.1. Size:266K  aosemi
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AOL1700

AOL1704 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM SRFET AOL1704 uses advanced trench VDS (V) = 30V technology with a monolithically integrated Schottky ID =50A (VGS = 10V) diode to provide excellent RDS(ON),and low gate charge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 9.1. Size:253K  aosemi
aol1712.pdf pdf_icon

AOL1700

AOL1712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor SRFET TM General Description Features TM VDS (V) = 30V SRFET AOL1712 uses advanced trench ID =65A (VGS = 10V) technology with a monolithically integrated Schottky diode to provide excellent RDS(ON),and low gate RDS(ON)

Otros transistores... AOL1426 , AOL1428A , AOL1432 , AOL1432A , AOL1448 , AOL1454 , AOL1458 , AOL1482 , AON6380 , AOL1712 , AON1605 , AON1606 , AON1610 , AON1611 , AON1620 , AON1634 , AON2240 .

History: HM4N65

 

 

 


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