Справочник MOSFET. AOL1700

 

AOL1700 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOL1700
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 682 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: ULTRA-SO8

 Аналог (замена) для AOL1700

 

 

AOL1700 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:244K  aosemi
 aol1700.pdf

AOL1700 AOL1700

AOL1700N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1700 uses advanced trenchID =85A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

 8.1. Size:266K  aosemi
 aol1704.pdf

AOL1700 AOL1700

AOL1704N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMSRFET AOL1704 uses advanced trenchVDS (V) = 30Vtechnology with a monolithically integrated SchottkyID =50A (VGS = 10V)diode to provide excellent RDS(ON),and low gatecharge. This device is suitable for use as a low side RDS(ON)

 9.1. Size:253K  aosemi
 aol1712.pdf

AOL1700 AOL1700

AOL1712N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorSRFET TM General Description FeaturesTMVDS (V) = 30VSRFET AOL1712 uses advanced trenchID =65A (VGS = 10V)technology with a monolithically integrated Schottkydiode to provide excellent RDS(ON),and low gateRDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top