AON2260 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AON2260
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AON2260

AON2260 Datasheet (PDF)

..1. Size:231K aosemi
aon2260.pdf

AON226060V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2260 combines advanced trench MOSFET 60Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 6Aextremely low RDS(ON).This device is ideal for boost RDS(ON) (at VGS = 10V)

9.1. Size:254K aosemi
aon2290.pdf

AON2290100V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2290 combines advanced trench MOSFET 100Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 4.5Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS =10V)

9.2. Size:283K aosemi
aon2240.pdf

AON224040V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDSThe AON2240 combines advanced trench MOSFET 40Vtechnology with a low resistance package to provide ID (at VGS=10V) 8Aextremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch RDS(ON) (at VGS =10V)

9.3. Size:1472K kexin
aon2240.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETAON2240 (KON2240)DFN 2x2BTop View Features VDS (V) = 40V ID = 8 A (VGS = 10V) RDS(ON) 21m (VGS = 10V) RDS(ON) 29m (VGS = 4.5V)Bottom View DGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 40V Gate-Source Voltage VGS 20 TA=25 8 Continuous Drain

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Liste

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